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論文

Effect of pressure on hopping conduction in amorphous Ge alloys

戸田 直博*; 片山 芳則; 辻 和彦*

Review of High Pressure Science and Technology, 7, p.647 - 649, 1998/03

http://ci.nii.ac.jp/naid/10002691304

蒸着で作成したアモルファス(a-)Ge,-Ge-Cu合金,a-Ge-Al合金の電気伝導度$$sigma$$を圧力$$P$$を8GPaまで、温度$$T$$を77-300Kの範囲で測定した。低温での$$sigma$$の温度依存性は、Mottの可変範囲ホッピング伝導モデルよりは、弱い電子格子カップリングのある場合のマルチフォノン・トンネリング遷移過程モデルによく一致した。圧力の増加に伴い、べき乗則の指数$$n$$が変化した。a-Ge$$_{1-x}$$Cu$$_{x}$$とa-Ge$$_{1-x}$$Al$$_{x}$$のどちらの合金においても、d(ln $$n$$)/d$$P$$は、低圧域では正の値,高圧域では負の値を示した。これらの結果をいくつかのホッピング伝導モデルの立場から議論する。

論文

Regrowth of the photoquenchable defect relating to the hopping conduction in arsenic-ion-implanted semi-insulating GaAs

栗山 一男*; 風間 浩一*; 加藤 崇*; 山本 春也; 青木 康; 楢本 洋

Journal of Applied Physics, 80(8), p.4488 - 4490, 1996/10

https://doi.org/10.1063/1.363423
 被引用回数：1 パーセンタイル：8.28(Physics, Applied)

Asを注入した半絶縁性GaAsは、モットー型のホッピング伝導を示すことを明らかにした。この現象は、照射直後及び熱処理後も共通であったが、熱処理して注入したAsがGaの位置を占有するantisite defectを形成するようになると、光クエンチングによる伝導度の減少をもたらすことも見い出された。

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